带着固有偏见，检测员漫不经心地调着电镜参数。

电子束对准了芯片截面的栅极区域，屏幕上的图像逐渐清晰。

检测员的手猛地顿住。

屏幕上，晶体管栅极的边界清晰得不像话。

那线条，那结构，那精度……

他做了二十年电镜分析，从来没见过这么干净的截面。

没有拖影，没有模糊，每一层材料的界面都锐利得像刀切出来的。

他以为自己看错了，重新调了一遍参数，又扫了一遍。

还是一样。

测量标尺跳出来的那一刻，整个实验室瞬间死寂。

10.2纳米！

误差正负0.3纳米！

真真正正的10纳米级真实制程。

“上帝……”

有人低声呢喃。

“是真的…… 竟然是真的……”

“不可能……”

“以华国的产业链水平，14纳米都费劲，怎么可能做到真正的10纳米？”

可屏幕上那个数字，就在那里。

就像一个冰冷的巴掌，拍在所有人脸上。

震惊不过三秒，更疯狂的逆向分析立刻展开。

“快！做架构分析！电路拆解！版图逆向还原！”

“我要知道这颗芯片的每一个细节！”

“通知所有部门，取消今天所有安排！全员上阵！”

“好的！马上开始！”

实验室瞬间切换成了战时状态。

十几个人各就各位，一组负责拆解电路结构，一组负责还原版图布局，一组负责分析材料体系。

所有人心里都憋着一股劲儿。

他们想知道，这颗性能吊打全球的芯片，到底用了什么黑科技设计。

是GAA环绕栅极？

是MBCFET多桥沟道？

还是什么他们从未听说过的新型架构？

几个小时过去了。

当完整的架构图终于被还原出来，被投影到墙上的那一刻。

全场第二次死寂。

然后，比刚才更甚的震撼，狠狠砸在每个人头上。

投影上，是一张清晰无比的晶体管结构图。

平面型晶体管。

Planar MOSFET。

那是……那是上个时代的东西。

是最经

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