四月十六日，通城，徐申学在智云微电子有限公司的总部里，举办了一场半导体会议。

会议主要针对现有七纳米以及五纳米工艺的产能扩充，未来三纳米工艺、二纳米工艺的技术攻关进行了讨论。

逻辑芯片是徐申学非常关注的一个领域，但是也不仅仅只是关注这个领域。

在储存芯片领域里徐申学也非常关注……因为储存芯片市场目前看似平静，但是新一轮的大规模价格战正在酝酿当中。

上一轮储存芯片市场的价格战，是两年前，当时的智云储存试图靠着先大规模量产的10C工艺玩价格战，四星半导体紧跟身后，试图联手打压海力士以及镁光。

但是出手过于仓促，资金准备也不是很妥当，最重要的是当时的10C工艺节点产能不够，10B工艺的竞争力也比较一般，最终导致效果不是很好。

搞了一四败俱伤的价格战，除了损失各自的利润外，没起到什么实际作用。

而现在，智云储存这边，打算再来一次！

这一次，他们将会准备的更加充分！

而这一次的半导体会议里，在储存芯片领域的讨论，其实也是为了下一轮的储存芯片市场的技术战以及价格战而准备。

闪存领域，根据会议讨论，将会重点围绕一百层到一百五十层之间的成熟3D NAND闪存芯片进行大规模的产能扩充，同时建设扩充两百层以上的3D NAND闪存芯片的大规模量产。

虽然两百层以上的闪存芯片已经有了，但是受限于成本以及产能问题，目前其实并不是主流。

主流储存芯片的层数，中高端产品是在一百层到一百五十层节点，而这个中高端市场，也是四大储存芯片巨头的核心营收以及利润来源……是支撑其研发新一代技术，建设下一代新工艺产能的战略支撑。

只要能够在这个市场区间里挤死对手，就等于断了对手的粮草，对方将会在新工艺的研发，新工艺的产能建设上落后……以后就只能玩落后市场了。

半导体制造业非常残酷的，一步落后就是步步落后。

而领先者，就能够在新一代工艺上获得丰厚的营收以及利润，进而形成良性循环！

智云集团，在逻辑芯片领域里的领先优势，就是这么一步一步积累起来的！

现在，在储存芯片领域里也这么玩！

储存芯片除了3D NAND这种闪存芯片外，还有一个核心产品那就是运行内存芯片

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